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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SSM6J53FE(TE85L,F)
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3,561
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 (1.6x1.6) 500mW (Ta) P-Channel - 20V 1.8A (Ta) 136 mOhm @ 1A, 2.5V 1V @ 1mA 10.6nC @ 4V 568pF @ 10V 1.5V, 2.5V ±8V
SSM6J213FE(TE85L,F
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel - 20V 2.6A (Ta) 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V 290pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
RW1A025APT2CR
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3,820
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 400mW (Ta) P-Channel - 12V 2.5A (Ta) 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 16nC @ 4.5V 2000pF @ 6V 1.5V, 4.5V -8V
RW1A013ZPT2R
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2,537
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 400mW (Ta) P-Channel - 12V 1.5A (Ta) 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V 1V @ 1mA 2.4nC @ 4.5V 290pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±10V
SSM6J215FE(TE85L,F
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1,616
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel - 20V 3.4A (Ta) 59 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 10.4nC @ 4.5V 630pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
RW1A030APT2CR
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1,550
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 700mW (Ta) P-Channel - 12V 3A (Ta) 42 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 22nC @ 4.5V 2700pF @ 6V 1.5V, 4.5V -8V
RW1C025ZPT2CR
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2,858
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 700mW (Ta) P-Channel - 20V 2.5A (Ta) 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 21nC @ 4.5V 1300pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±10V
SSM6J206FE(TE85L,F
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2,621
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2A ES6 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 (1.6x1.6) 500mW (Ta) P-Channel - 20V 2A (Ta) 130 mOhm @ 1A, 4V 1V @ 1mA - 335pF @ 10V 1.8V, 4V ±8V
RW1A020ZPT2R
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924
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 700mW (Ta) P-Channel - 12V 2A (Ta) 105 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V 770pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±10V
ES6U1T2R
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3,362
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 700mW (Ta) P-Channel Schottky Diode (Isolated) 12V 1.3A (Ta) 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V 1V @ 1mA 2.4nC @ 4.5V 290pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±10V
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3,958
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 700mW (Ta) P-Channel - 12V 4.8A (Ta) 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1mA 12.7nC @ 4.5V 1040pF @ 12V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM6J212FE,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 4A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 14.1nC @ 4.5V 970pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 6-WEMT 700mW (Ta) P-Channel - 20V 2.5A (Ta) 70 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 10nC @ 4.5V 1250pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±10V
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