- 供应商设备包 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
943
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | PG-DSO-8 | 1.6W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 12A (Ta) | 8 mOhm @ 14.8A, 10V | 3.1V @ 150µA | 81nC @ 10V | 6750pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,080
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | PG-DSO-8 | 1.6W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 12A (Ta) | 8 mOhm @ 14.8A, 10V | 3.1V @ 150µA | 81nC @ 10V | 6750pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,931
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.6W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 3A (Ta) | 115 mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 9.3nC @ 10V | 455pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±25V |