- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,593
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V SO-8 | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | P-Channel | 40V | 9.9A (Ta), 14A (Tc) | 14.2 mOhm @ 10A, 10V | 2.3V @ 250µA | 100nC @ 10V | 4000pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,026
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) | P-Channel | 30V | 14A (Ta), 16A (Tc) | 7.9 mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 140nC @ 10V | 5200pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,523
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 4.8W (Tc) | P-Channel | 30V | 12.6A (Tc) | 19 mOhm @ 9A, 10V | 2.2V @ 250µA | 42nC @ 10V | 1500pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,187
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | P-Channel | 20V | - | 14 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 3250pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |