- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,997
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT | DeepGATE™, STripFET™ H6 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | PowerFlat™ (2x2) | 2.4W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 4A (Ta) | 56 mOhm @ 2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | 639pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,289
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | PowerFlat™ (2x2) | 2.4W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 8A (Tc) | 22.5 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,928
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | PowerFlat™ (2x2) | 2.4W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 4A (Tc) | 100 mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | 510pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,424
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | 6-PQFN (2x2) | 2.4W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 12A (Ta) | 13 mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1.4V @ 250µA | 39nC @ 4.5V | 4383pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,889
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta) | 13.5 mOhm @ 11A, 10V | 2.6V @ 250µA | 46nC @ 10V | 2160pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V |