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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8483DB-T2-E1
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA 6-Micro Foot™ (1.5x1) 2.77W (Ta), 13W (Tc) P-Channel - 12V 16A (Tc) 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 65nC @ 10V 1840pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±10V
SI8497DB-T2-E1
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA 6-microfoot 2.77W (Ta), 13W (Tc) P-Channel - 30V 13A (Tc) 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 49nC @ 10V 1320pF @ 15V 2V, 4.5V ±12V
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