晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SPD18P06P		获得报价	PDF RFQ	827 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	80W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.6A (Tc)	130 mOhm @ 13.2A, 10V	4V @ 1mA	33nC @ 10V	860pF @ 25V	10V	±20V
	BSP613PL6327HUSA1		获得报价	PDF RFQ	2,102 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	P-Channel	-	60V	2.9A (Ta)	130 mOhm @ 2.9A, 10V	4V @ 1mA	33nC @ 10V	875pF @ 25V	10V	±20V
	BSP170PL6327HTSA1		获得报价	PDF RFQ	1,660 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	P-Channel	-	60V	1.9A (Ta)	300 mOhm @ 1.9A, 10V	4V @ 250µA	14nC @ 10V	410pF @ 25V	10V	±20V
	SPD30P06P		获得报价	PDF RFQ	1,659 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 30A TO-252	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	125W (Tc)	P-Channel	-	60V	30A (Tc)	75 mOhm @ 21.5A, 10V	4V @ 1.7mA	48nC @ 10V	1535pF @ 25V	10V	±20V
	SPD18P06PGBTMA1		获得报价	PDF RFQ	3,767 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	80W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.6A (Tc)	130 mOhm @ 13.2A, 10V	4V @ 1mA	33nC @ 10V	860pF @ 25V	10V	±20V
	BSP613PH6327XTSA1		获得报价	PDF RFQ	2,316 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	P-Channel	-	60V	2.9A (Ta)	130 mOhm @ 2.9A, 10V	4V @ 1mA	33nC @ 10V	875pF @ 25V	10V	±20V
	SPD30P06PGBTMA1		获得报价	PDF RFQ	3,603 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	125W (Tc)	P-Channel	-	60V	30A (Tc)	75 mOhm @ 21.5A, 10V	4V @ 1.7mA	48nC @ 10V	1535pF @ 25V	10V	±20V
	SPB80P06PGATMA1		获得报价	PDF RFQ	1,522 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 80A TO-263	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PG-TO263-3-2	340W (Tc)	P-Channel	-	60V	80A (Tc)	23 mOhm @ 64A, 10V	4V @ 5.5mA	173nC @ 10V	5033pF @ 25V	10V	±20V
	BSO613SPVGHUMA1		获得报价	PDF RFQ	2,647 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	PG-DSO-8	2.5W (Ta)	P-Channel	-	60V	3.44A (Ta)	130 mOhm @ 3.44A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	875pF @ 25V	10V	±20V
	SPB18P06PGATMA1		获得报价	PDF RFQ	2,871 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263AB)	81.1W (Ta)	P-Channel	-	60V	18.7A (Ta)	130 mOhm @ 13.2A, 10V	4V @ 1mA	28nC @ 10V	860pF @ 25V	10V	±20V
	BSP170PH6327XTSA1		获得报价	PDF RFQ	993 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	P-Channel	-	60V	1.9A (Ta)	300 mOhm @ 1.9A, 10V	4V @ 250µA	14nC @ 10V	410pF @ 25V	10V	±20V

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