- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
607
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 375W (Tc) | P-Channel | 100V | 120A (Tc) | - | 2.5V @ 250µA | 190nC @ 10V | 7000pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,749
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | P-Channel | 20V | 26.6A (Tc) | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 190nC @ 10V | 4600pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,650
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | 60V | 8.6A (Ta) | 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V | 3V @ 250µA | 190nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,173
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | 60V | 8.6A (Ta) | 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V | 3V @ 250µA | 190nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1