- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,226
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | - | 40V | 11A (Ta) | 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V | 3V @ 250µA | 140nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,047
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | - | 40V | 11A (Ta) | 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V | 3V @ 250µA | 140nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
989
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 5.6 mOhm @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | 140nC @ 10V | 5250pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |