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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7315DN-T1-GE3
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RFQ
1,399
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.8W (Ta), 52W (Tc) P-Channel - 150V 8.9A (Tc) 315 mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V 880pF @ 75V 7.5V, 10V ±30V
SI3469DV-T1-E3
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RFQ
777
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 1.14W (Ta) P-Channel - 20V 5A (Ta) 30 mOhm @ 6.7A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V - 4.5V, 10V ±20V
SI3469DV-T1-GE3
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RFQ
642
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 1.14W (Ta) P-Channel - 20V 5A (Ta) 30 mOhm @ 6.7A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V - 4.5V, 10V ±20V
SIA459EDJ-T1-GE3
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RFQ
2,901
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC70 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) P-Channel - 20V 9A (Tc) 35 mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 30nC @ 10V 885pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SI3127DV-T1-GE3
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RFQ
1,627
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 2W (Ta), 4.2W (Tc) P-Channel - 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 833pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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