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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8467DB-T2-E1
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RFQ
1,266
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel - 20V - 73 mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 21nC @ 10V 475pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SI2343DS-T1-E3
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RFQ
1,178
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 30V 3.1A (Ta) 53 mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 21nC @ 10V 540pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI2319CDS-T1-GE3
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RFQ
1,705
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) P-Channel - 40V 4.4A (Tc) 77 mOhm @ 3.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 10V 595pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SI2343CDS-T1-GE3
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RFQ
3,436
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) P-Channel - 30V 5.9A (Tc) 45 mOhm @ 4.2A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 10V 590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI2343DS-T1-GE3
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RFQ
1,236
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - 750mW (Ta) P-Channel - 30V 3.1A (Ta) 53 mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 21nC @ 10V 540pF @ 15V 10V ±20V
SI4485DY-T1-GE3
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RFQ
610
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.4W (Ta), 5W (Tc) P-Channel - 30V 6A (Tc) 42 mOhm @ 5.9A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 10V 590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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