- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,865
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-TSOP | 1.1W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4.3A (Ta) | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V | 850mV @ 250µA | 18nC @ 4.5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,145
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.3W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 4.3A (Ta) | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V | 1V @ 800µA | 18nC @ 4.5V | - | 1.8V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,410
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 750mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4.1A (Ta) | 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | 1100pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,487
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 750mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4.1A (Ta) | 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | 1100pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V |