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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI1413EDH-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1W (Ta) P-Channel - 20V 2.3A (Ta) 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V 450mV @ 100µA (Min) 8nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±12V
SI1413EDH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1W (Ta) P-Channel - 20V 2.3A (Ta) 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V 450mV @ 100µA (Min) 8nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±12V
SI2319DS-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 40V 2.3A (Ta) 82 mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V 470pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SI2319DS-T1-GE3
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2,384
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - 750mW (Ta) P-Channel - 40V 2.3A (Ta) 82 mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V 470pF @ 20V 10V ±20V
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