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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8467DB-T2-E1
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 20V - 73 mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 21nC @ 10V 475pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SI8469DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO TrenchFET® Last Time Buy Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 8V 4.6A (Ta) 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 17nC @ 4.5V 900pF @ 4V 4.5V ±5V
SI8461DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Last Time Buy Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 20V - 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V 610pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8489EDB-T2-E1
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 20V - 44 mOhm @ 1.5A, 10V 1.2V @ 250µA 27nC @ 10V 765pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
SI8465DB-T2-E1
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 20V - 104 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 18nC @ 10V 450pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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