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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V TO252 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) P-Channel - 40V 50A (Tc) 8.5 mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 210nC @ 10V 9950pF @ 25V 10V ±20V
SQS481ENW-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 62.5W (Tc) P-Channel - 150V 4.7A (Tc) 1.095 Ohm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 11nC @ 10V 385pF @ 75V 10V ±20V
SQ3427AEEV-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 6TSOP Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 5W (Tc) P-Channel - 60V 5.3A (Tc) 95 mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V 1000pF @ 30V 10V ±20V
SQ2361ES-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - 2W (Tc) P-Channel - 60V 2.8A (Tc) 177 mOhm @ 2.4A, 10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V 550pF @ 30V 10V ±20V
SQ2361AEES-T1_GE3
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2,639
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TA) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - 2W (Tc) P-Channel - 60V 2.8A (Tc) 170 mOhm @ 2.4A, 10V 2.5V @ 250µA 15nC @ 10V 620pF @ 30V 10V ±20V
SQ4431EY-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 6W (Tc) P-Channel - 30V 10.8A (Tc) 30 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 25nC @ 10V 1265pF @ 15V 10V ±20V
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