- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,463
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 2.5W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 4.6A (Tc) | 75 mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16nC @ 10V | 620pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,111
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 68W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 60A (Tc) | 4.4 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 260nC @ 10V | 10700pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,264
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 12V SOT23 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 2W (Tc) | P-Channel | - | 12V | 5A (Tc) | 50 mOhm @ 3.5A, 10V | 1V @ 250µA | 13nC @ 4.5V | 870pF @ 4V | 1.8V, 4.5V | ±8V |