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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7322D1TRPBF
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RFQ
610
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC FETKY™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2W (Ta) P-Channel Schottky Diode (Isolated) 20V 5.3A (Ta) 62 mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V 2.7V, 4.5V ±12V
NTLUS3A40PZTAG
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RFQ
2,922
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
FDMA910PZ
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RFQ
2,747
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad 6-MicroFET (2x2) 2.4W (Ta) P-Channel - 20V 9.4A (Ta) 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2805pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
NTGS3136PT1G
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RFQ
3,982
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 6-TSOP 700mW (Ta) P-Channel - 20V 3.7A (Ta) 33 mOhm @ 5.1A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 1901pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
SI2329DS-T1-GE3
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3,872
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 2.5W (Tc) P-Channel - 8V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V 800mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 1485pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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