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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8469DB-T2-E1
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RFQ
2,421
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO TrenchFET® Last Time Buy Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel - 8V 4.6A (Ta) 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 17nC @ 4.5V 900pF @ 4V 4.5V ±5V
FDZ371PZ
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1,292
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, WLCSP 4-WLCSP (1x1) 1.7W (Ta) P-Channel - 20V 3.7A (Ta) 75 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1000pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8401DB-T1-E1
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1,607
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.47W (Ta) P-Channel - 20V 3.6A (Ta) 65 mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 17nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
PMV30XPEAR
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Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V TO-236AB Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23) 490mW (Ta), 5.435W (Tc) P-Channel - 20V 4.5A (Ta) 34 mOhm @ 3A, 4.5V 1.25V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1465pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
FDN306P
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SuperSOT-3 500mW (Ta) P-Channel - 12V 2.6A (Ta) 40 mOhm @ 2.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1138pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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