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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50P06-15-GE3
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2,911
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 50A TO-252 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.5W (Ta), 113W (Tc) P-Channel - 60V 50A (Tc) 15 mOhm @ 17A, 10V 3V @ 250µA 165nC @ 10V 4950pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
MTB50P03HDLT4G
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1,549
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 2.5W (Ta), 125W (Tc) P-Channel - 30V 50A (Tc) 25 mOhm @ 25A, 5V 2V @ 250µA 100nC @ 5V 4900pF @ 25V 5V ±15V
SI7149DP-T1-GE3
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2,608
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 69W (Tc) P-Channel - 30V 50A (Tc) 5.2 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 147nC @ 10V 4590pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SUD50P04-08-GE3
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2,937
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 50A DPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) P-Channel - 40V 50A (Tc) 8.1 mOhm @ 22A, 10V 2.5V @ 250µA 159nC @ 10V 5380pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
STD45P4LLF6AG
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2,404
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 50A DPAK Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 58W (Tc) P-Channel - 40V 50A (Tc) 15 mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 65.5nC @ 10V 3525pF @ 25V 4.5V, 10V ±18V
SI7149ADP-T1-GE3
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1,506
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 48W (Tc) P-Channel - 30V 50A (Tc) 5.2 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 135nC @ 10V 5125pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SISS27ADN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212 TrenchFET® Gen III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 57W (Tc) P-Channel - 30V 50A (Tc) 5.1 mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 55nC @ 4.5V 4660pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIS427EDN-T1-GE3
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RFQ
3,390
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel - 30V 50A (Tc) 10.6 mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 66nC @ 10V 1930pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SIR401DP-T1-GE3
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RFQ
3,813
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 39W (Tc) P-Channel - 20V 50A (Tc) 3.2 mOhm @ 15A, 10V 1.5V @ 250µA 310nC @ 10V 9080pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
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