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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AUIRFR5410TRL
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RFQ
899
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 66W (Tc) P-Channel - 100V 13A (Tc) 205 mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 58nC @ 10V 760pF @ 25V 10V ±20V
SI8497DB-T2-E1
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RFQ
1,990
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA 6-microfoot 2.77W (Ta), 13W (Tc) P-Channel - 30V 13A (Tc) 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 49nC @ 10V 1320pF @ 15V 2V, 4.5V ±12V
DMP2040UFDF-7
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RFQ
1,725
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 13A UDFN2020-6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 1.8W (Ta) P-Channel - 20V 13A (Tc) 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 19nC @ 8V 834pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SI4835DDY-T1-GE3
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RFQ
1,204
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) P-Channel - 30V 13A (Tc) 18 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 65nC @ 10V 1960pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
IRFR5410TRPBF
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1,295
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 13A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 66W (Tc) P-Channel - 100V 13A (Tc) 205 mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 58nC @ 10V 760pF @ 25V 10V ±20V
SI4835DDY-T1-E3
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RFQ
3,153
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) P-Channel - 30V 13A (Tc) 18 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 65nC @ 10V 1960pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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