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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFR9024NTRPBF
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RFQ
2,989
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 38W (Tc) P-Channel 55V 11A (Tc) 175 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
IRFR9024NTRLPBF
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RFQ
1,485
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 38W (Tc) P-Channel 55V 11A (Tc) 175 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
TSM160P02CS RLG
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RFQ
3,552
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2.5W (Tc) P-Channel 20V 11A (Tc) 16 mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 27nC @ 4.5V 2320pF @ 15V 1.8V, 4.5V ±10V
SI8447DB-T2-E1
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RFQ
3,599
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-MICRO FOOT™ 6-Micro Foot™ (1.5x1) 2.77W (Ta), 13W (Tc) P-Channel 20V 11A (Tc) 75 mOhm @ 1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 25nC @ 10V 600pF @ 10V 1.7V, 4.5V ±12V
IRF9640STRLPBF
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RFQ
3,608
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3W (Ta), 125W (Tc) P-Channel 200V 11A (Tc) 500 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
IRF9640STRRPBF
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RFQ
3,800
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - 125W (Tc) P-Channel 200V 11A (Tc) 500 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
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