- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,202
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) | P-Channel | - | 80V | 28A (Tc) | 25 mOhm @ 10.2A, 10V | 3V @ 250µA | 160nC @ 10V | 4700pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,350
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) | P-Channel | - | 80V | 28A (Tc) | 25 mOhm @ 10.2A, 10V | 3V @ 250µA | 160nC @ 10V | 4700pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,521
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SuperSOT™-6 | 1.6W (Ta) | P-Channel | - | 80V | 2.1A (Ta) | 183 mOhm @ 2.1A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 880pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V |