- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,718
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 7.9A (Tc) | 50 mOhm @ 2.8A, 4.5V | 950mV @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 1020pF @ 20V | 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,696
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 5W (Tc) | P-Channel | - | 16V | 4.66A (Tc) | 120 mOhm @ 1A, 4.5V | 600mV @ 1mA | 7.2nC @ 4.5V | 528pF @ 12.8V | 2.5V, 10V | ±8V | |||
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获得报价 |
1,187
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | - | 14 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 3250pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,035
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 5W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 4.7A (Tc) | 120 mOhm @ 3.2A, 10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | 600pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,900
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 13.4A (Tc) | 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 90nC @ 8V | 2380pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |