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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSS84PW
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RFQ
3,883
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 SIPMOS® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 300mW (Ta) P-Channel - 60V 150mA (Ta) 8 Ohm @ 150mA, 10V 2V @ 20µA 1.5nC @ 10V 19.1pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BSS223PW L6327
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RFQ
2,061
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 250mW (Ta) P-Channel - 20V 390mA (Ta) 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
BSS84PWH6327XTSA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 300mW (Ta) P-Channel - 60V 150mA (Ta) 8 Ohm @ 150mA, 10V 2V @ 20µA 1.5nC @ 10V 19.1pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BSS223PWH6327XTSA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 250mW (Ta) P-Channel - 20V 390mA (Ta) 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
BSS209PWH6327XTSA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 300mW (Ta) P-Channel - 20V 630mA (Tc) 550 mOhm @ 630mA, 4.5V 1.2V @ 3.5µA 1.3nC @ 4.5V 115pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
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