- 工作温度 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,824
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 600mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 2A, 10V | 2.2V @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | 159pF @ 15V | 4V, 10V | +20V, -25V | ||
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获得报价 |
1,692
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 600mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | - | 4.6nC @ 4.5V | 270pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,878
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 1.2W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 400mA (Ta) | 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V | 2V @ 1mA | 3nC @ 10V | 82pF @ 10V | 4V, 10V | +20V, -16V | ||
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获得报价 |
3,910
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 1.2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2A (Ta) | 110 mOhm @ 2A, 10V | 1.2V @ 1mA | 5.1nC @ 4.5V | 210pF @ 10V | 1.8V, 10V | ±12V |