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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SSM3J14TTE85LF
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RFQ
622
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM U-MOSII Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 30V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 1.35A, 10V - - 413pF @ 15V 4V, 10V ±20V
SSM3J307T(TE85L,F)
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RFQ
1,323
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 5A TSM U-MOSV Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 20V 5A (Ta) 31 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 19nC @ 4.5V 1170pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM3J321T(TE85L,F)
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RFQ
2,595
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM U-MOSV Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 20V 5.2A (Ta) 46 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 8.1nC @ 4.5V 640pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM3J304T(TE85L,F)
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RFQ
2,871
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM U-MOSIII Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 20V 2.3A (Ta) 127 mOhm @ 1A, 4V - 6.1nC @ 4V 335pF @ 10V 1.8V, 4V ±8V
SSM3J306T(TE85L,F)
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RFQ
1,950
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 30V 2.4A (Ta) 117 mOhm @ 1A, 10V - 2.5nC @ 15V 280pF @ 15V 4V, 10V ±20V
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