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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8467DB-T2-E1
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RFQ
1,266
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 780mW (Ta), 1.8W (Tc) P-Channel 20V - 73 mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 21nC @ 10V 475pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SI8445DB-T2-E1
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RFQ
974
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) P-Channel 20V 9.8A (Tc) 84 mOhm @ 1A, 4.5V 850mV @ 250µA 16nC @ 5V 700pF @ 10V 1.2V, 4.5V ±5V
SI8435DB-T1-E1
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RFQ
2,290
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) P-Channel 20V 10A (Tc) 41 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 35nC @ 5V 1600pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±5V
SI8415DB-T1-E1
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RFQ
2,518
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.47W (Ta) P-Channel 12V 5.3A (Ta) 37 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 30nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI8405DB-T1-E1
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RFQ
2,642
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.47W (Ta) P-Channel 12V 3.6A (Ta) 55 mOhm @ 1A, 4.5V 950mV @ 250µA 21nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
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