- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,432
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 13.5A (Ta), 40A (Tc) | 8.6 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 105µA | 57.5nC @ 10V | 4785pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
3,032
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 52W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta), 40A (Tc) | 12 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 73µA | 45nC @ 10V | 3360pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
1,653
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 40W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 9A (Ta), 39.5A (Tc) | 18 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 48µA | 30nC @ 10V | 2220pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
3,714
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 13.5A (Ta), 40A (Tc) | 8.6 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 105µA | 57.5nC @ 10V | 4785pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V |