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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SQS401EN-T1_GE3
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1,855
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16A TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 62.5W (Tc) P-Channel 40V 16A (Tc) 29 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 21.2nC @ 4.5V 1875pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SQ7415AEN-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 53W (Tc) P-Channel 60V 16A (Tc) 65 mOhm @ 5.7A, 10V 2.5V @ 250µA 38nC @ 10V 1385pF @ 25V - -
SI7121ADN-T1-GE3
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2,058
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) P-Channel 30V 12A (Ta) 15 mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 50nC @ 10V 1870pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI7101DN-T1-GE3
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3,715
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel 30V 35A (Tc) 7.2 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 102nC @ 10V 3595pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SIS427EDN-T1-GE3
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3,390
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel 30V 50A (Tc) 10.6 mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 66nC @ 10V 1930pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI7625DN-T1-GE3
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2,250
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel 30V 35A (Tc) 7 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 126nC @ 10V 4427pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7617DN-T1-GE3
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1,996
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel 30V 35A (Tc) 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V 1800pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SIS413DN-T1-GE3
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RFQ
1,662
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel 30V 18A (Tc) 9.4 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4280pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SQS423EN-T1_GE3
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1,816
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 62.5W (Tc) P-Channel 30V 16A (Tc) 21 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 4.5V 1975pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SQ7415AENW-T1_GE3
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2,696
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 53W (Tc) P-Channel 60V 16A (Tc) 65 mOhm @ 5.7A, 10V 2.5V @ 250µA 38nC @ 10V 1385pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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