- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,542
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT | STripFET™ H6 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 3W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 9A (Tc) | 15 mOhm @ 4.5A, 10V | 1V @ 250µA | 24nC @ 4.5V | 2615pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,242
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT | STripFET™ H6 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 6A (Tc) | 30 mOhm @ 3A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 12nC @ 4.5V | 1450pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,200
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT | STripFET™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 9A (Tc) | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V |