- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,021
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO-263 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 150W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 100A (Tc) | 5.1 mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 280nC @ 10V | 14500pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
607
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 375W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 120A (Tc) | - | 2.5V @ 250µA | 190nC @ 10V | 7000pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,947
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 150W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 15 mOhm @ 17A, 10V | 2.5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 6120pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |