- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,007
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 110A (Tc) | 4.2 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 60nC @ 4.5V | 5100pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,566
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 27A (Tc) | 70 mOhm @ 13.5A, 10V | 4V @ 250µA | 43nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
877
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 60A (Tc) | 3.9 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | 5950pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,893
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 22 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 41nC @ 10V | 1540pF @ 25V | 10V | ±25V |