- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,754
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 83.3W (Tc) | N-Channel | 650V | 8.7A (Tc) | 420 mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32nC @ 10V | 870pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,862
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 | CoolMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 83.3W (Tc) | N-Channel | 650V | 8.7A (Tc) | 420 mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32nC @ 10V | 870pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,019
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 83.3W (Tc) | N-Channel | 25V | 60A (Tc) | 0.76 mOhm @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | 155nC @ 10V | 7570pF @ 10V | 4.5V, 10V | +16V, -12V | ||
.jpg)
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获得报价 |
2,825
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 83.3W (Tc) | N-Channel | 100V | 32A (Tc) | 37 mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 34nC @ 10V | 1598pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1