- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,295
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK | PowerTrench® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 17.7A (Ta), 30A (Tc) | 7.5 mOhm @ 17.7A, 10V | 3V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1490pF @ 13V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,446
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 7.5 mOhm @ 18A, 10V | 2.5V @ 250µA | 32nC @ 10V | 1230pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,700
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 30A (Tc) | 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 180nC @ 8V | 5700pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,215
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 18A (Tc) | 25 mOhm @ 9.3A, 10V | 3V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1980pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V |