- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,062
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | FRFET®, QFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 143W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 10A (Tc) | 610 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2210pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,976
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 143W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 80A (Tc) | 3.6 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 70nC @ 10V | 4260pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,289
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 143W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 6.8 mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 100µA | 49nC @ 4.5V | 3779pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,069
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 56A DPAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 143W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 56A (Tc) | 13.9 mOhm @ 38A, 10V | 4V @ 100µA | 81nC @ 10V | 3031pF @ 50V | 10V | ±20V |