- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,946
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 240V | 350mA (Ta) | 6 Ohm @ 350mA, 10V | 1.8V @ 108µA | 6.4nC @ 10V | 140pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,466
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 960mA (Tc) | 1.5 Ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 140pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,943
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 790mA (Tc) | 2 Ohm @ 470mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 140pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,694
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4SOT223 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 240V | 350mA (Ta) | 6 Ohm @ 350mA, 10V | 1.8V @ 108µA | 6.4nC @ 10V | 140pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1