晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	BUK78150-55A,115		获得报价	PDF RFQ	3,813 有现货	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	8W (Tc)	N-Channel	55V	5.5A (Tc)	150 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	-	230pF @ 25V	10V	±20V
	BSP300H6327XUSA1		获得报价	PDF RFQ	2,155 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	800V	190mA (Ta)	20 Ohm @ 190mA, 10V	4V @ 1mA	-	230pF @ 25V	10V	±20V
	AUIRLL014NTR		获得报价	PDF RFQ	3,466 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	55V	2A (Ta)	140 mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14nC @ 10V	230pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRLL014NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,051 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	55V	2A (Ta)	140 mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14nC @ 10V	230pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	BUK78150-55A/CUX		获得报价	PDF RFQ	3,647 有现货	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223	TrenchMOS™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	8W (Tc)	N-Channel	55V	5.5A (Tc)	150 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	-	230pF @ 25V	10V	±20V

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