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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTF2955T1G
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) P-Channel 60V 1.7A (Ta) 185 mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V 492pF @ 25V 10V ±20V
BSP372NH6327XTSA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223-4 1.8W (Ta) N-Channel 100V 1.8A (Ta) 230 mOhm @ 1.8A, 10V 1.8V @ 218µA 14.3nC @ 10V 329pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
NVF2955T1G
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 (TO-261) 1W (Ta) P-Channel 60V 2.6A (Ta) 170 mOhm @ 750mA, 10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V 492pF @ 25V 10V ±20V
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