- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,515
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | Depletion Mode | 200V | 660mA (Ta) | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | 430pF @ 25V | 0V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,219
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.9A (Ta) | 45 mOhm @ 3.9A, 10V | 2.4V @ 250µA | 14nC @ 5V | 530pF @ 25V | 4V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
683
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | Depletion Mode | 200V | 660mA (Ta) | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | 430pF @ 25V | 0V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,355
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | Depletion Mode | 200V | 660mA (Ta) | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | 430pF @ 25V | 0V, 10V | ±20V |