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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	PMT29EN,115		获得报价	PDF RFQ	3,494 有现货	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 6A SC-73	-	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	820mW (Ta), 8.33W (Tc)	N-Channel	-	30V	6A (Ta)	29 mOhm @ 6A, 10V	2.5V @ 250µA	11nC @ 10V	492pF @ 15V	4.5V, 10V	±20V
	NDT014		获得报价	PDF RFQ	1,963 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4	-	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-65°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4	3W (Ta)	N-Channel	-	60V	2.7A (Ta)	200 mOhm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	11nC @ 10V	155pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL014TRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,534 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223	-	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	2W (Ta), 3.1W (Tc)	N-Channel	-	60V	2.7A (Tc)	200 mOhm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	11nC @ 10V	300pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL014NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,515 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	1.9A (Ta)	160 mOhm @ 1.9A, 10V	4V @ 250µA	11nC @ 10V	190pF @ 25V	10V	±20V
	STN3N40K3		获得报价	PDF RFQ	3,022 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223	SuperMESH3™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	3.3W (Ta)	N-Channel	-	400V	1.8A (Tc)	3.4 Ohm @ 600mA, 10V	4.5V @ 50µA	11nC @ 10V	165pF @ 50V	10V	±30V

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