- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
849
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | 55V | 7A (Tc) | 80 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 12nC @ 10V | 500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,534
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | 60V | 2.9A (Ta) | 120 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,435
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | 60V | 2.9A (Ta) | 120 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,015
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 | SIPMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | N-Channel | 60V | 2.9A (Tj) | 120 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,613
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | 55V | 7A (Tc) | 80 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 12nC @ 10V | 500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,561
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | P-Channel | 60V | 1.8A (Tc) | 500 mOhm @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 270pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1