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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	BSP324L6327HTSA1		获得报价	PDF RFQ	804 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	-	400V	170mA (Ta)	25 Ohm @ 170mA, 10V	2.3V @ 94µA	5.9nC @ 10V	154pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	BSP125L6433HTMA1		获得报价	PDF RFQ	2,889 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	SIPMOS®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	-	600V	120mA (Ta)	45 Ohm @ 120mA, 10V	2.3V @ 94µA	6.6nC @ 10V	150pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	BSP125H6433XTMA1		获得报价	PDF RFQ	1,762 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223	SIPMOS™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	-	600V	120mA (Ta)	-	2.3V @ 94µA	6.6nC @ 10V	150pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	BSP324H6327XTSA1		获得报价	PDF RFQ	1,486 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	-	400V	170mA (Ta)	25 Ohm @ 170mA, 10V	2.3V @ 94µA	5.9nC @ 10V	154pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	BSP125H6327XTSA1		获得报价	PDF RFQ	3,775 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	SIPMOS®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	-	600V	120mA (Ta)	45 Ohm @ 120mA, 10V	2.3V @ 94µA	6.6nC @ 10V	150pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V

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