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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NIF9N05CLT1G
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2,792
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.69W (Ta) N-Channel - 59V 2.6A (Ta) 125 mOhm @ 2.6A, 10V 2.5V @ 100µA 7nC @ 4.5V 250pF @ 35V 3V, 10V ±15V
BSP318SL6327HTSA1
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2,256
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 SIPMOS® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223-4 1.8W (Ta) N-Channel - 60V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 2V @ 20µA 20nC @ 10V 380pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXMP7A17GQTA
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) P-Channel - 70V 2.6A (Ta) 160 mOhm @ 2.1A, 10V 1V @ 250µA 18nC @ 10V 635pF @ 40V 4.5V, 10V ±20V
ZXMP7A17GTA
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) P-Channel - 70V 2.6A (Ta) 160 mOhm @ 2.1A, 10V 1V @ 250µA 18nC @ 10V 635pF @ 40V 4.5V, 10V ±20V
NCV8440ASTT1G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.69W (Ta) N-Channel - 59V 2.6A (Ta) 110 mOhm @ 2.6A, 10V 1.9V @ 100µA 4.5nC @ 4.5V 155pF @ 35V 3.5V, 10V ±15V
ZXMP10A18GTA
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2,217
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) P-Channel - 100V 2.6A (Ta) 150 mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 26.9nC @ 10V 1055pF @ 50V 6V, 10V ±20V
HUFA75307T3ST
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2,781
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 20V 250pF @ 25V 10V ±20V
NVF2955T1G
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 (TO-261) 1W (Ta) P-Channel - 60V 2.6A (Ta) 170 mOhm @ 750mA, 10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V 492pF @ 25V 10V ±20V
IRFL4315TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2.8W (Ta) N-Channel - 150V 2.6A (Ta) 185 mOhm @ 1.6A, 10V 5V @ 250µA 19nC @ 10V 420pF @ 25V 10V ±30V
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