- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,264
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 800mW (Ta) | N-Channel | - | 20V | 1.6A (Ta) | 150 mOhm @ 800mA, 5V | 2V @ 1mA | 20nC @ 5V | 580pF @ 15V | 5V | ±15V | ||
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获得报价 |
3,190
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 1.6A (Ta) | 200 mOhm @ 1.6A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 330pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,126
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 1.6A (Ta) | 200 mOhm @ 1.6A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 330pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1