晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFL4310TR		获得报价	PDF RFQ	3,190 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	100V	1.6A (Ta)	200 mOhm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	330pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL014NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,515 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	1.9A (Ta)	160 mOhm @ 1.9A, 10V	4V @ 250µA	11nC @ 10V	190pF @ 25V	10V	±20V
	IRLL2703TRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,219 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	30V	3.9A (Ta)	45 mOhm @ 3.9A, 10V	2.4V @ 250µA	14nC @ 5V	530pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRFL024NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	2,004 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	2.8A (Ta)	75 mOhm @ 2.8A, 10V	4V @ 250µA	18.3nC @ 10V	400pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL024ZTRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,002 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	5.1A (Ta)	57.5 mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	14nC @ 10V	340pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL4105TRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,206 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	3.7A (Ta)	45 mOhm @ 3.7A, 10V	4V @ 250µA	35nC @ 10V	660pF @ 25V	10V	±20V
	IRFL4310TRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,126 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	100V	1.6A (Ta)	200 mOhm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	330pF @ 25V	10V	±20V
	IRLL024ZTRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,606 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	5A (Tc)	60 mOhm @ 3A, 10V	3V @ 250µA	11nC @ 5V	380pF @ 25V	4.5V, 10V	±16V
	IRLL014NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,051 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	2A (Ta)	140 mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14nC @ 10V	230pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRLL3303TRPBF		获得报价	PDF RFQ	866 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	30V	4.6A (Ta)	31 mOhm @ 4.6A, 10V	1V @ 250µA	50nC @ 10V	840pF @ 25V	4.5V, 10V	±16V
	IRLL2705TRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,009 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	3.8A (Ta)	40 mOhm @ 3.8A, 10V	2V @ 250µA	48nC @ 10V	870pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRFL4315TRPBF		获得报价	PDF RFQ	2,664 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	2.8W (Ta)	N-Channel	-	150V	2.6A (Ta)	185 mOhm @ 1.6A, 10V	5V @ 250µA	19nC @ 10V	420pF @ 25V	10V	±30V
	IRLL024NTRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,100 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	1W (Ta)	N-Channel	-	55V	3.1A (Ta)	65 mOhm @ 3.1A, 10V	2V @ 250µA	15.6nC @ 5V	510pF @ 25V	4V, 10V	±16V

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