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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPD02N60S5BTMA1
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RFQ
913
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 CoolMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 25W (Tc) N-Channel 600V 1.8A (Tc) 3 Ohm @ 1.1A, 10V 5.5V @ 80µA 9.5nC @ 10V 240pF @ 25V 10V ±20V
IRFR9010TRPBF
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RFQ
760
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 25W (Tc) P-Channel 50V 5.3A (Tc) 500 mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1nC @ 10V 240pF @ 25V 10V ±20V
IPD50R1K4CEBTMA1
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RFQ
3,377
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 CoolMOS™ CE Last Time Buy Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 25W (Tc) N-Channel 500V 3.1A (Tc) 1.4 Ohm @ 900mA, 13V 3.5V @ 70µA 1nC @ 10V 178pF @ 100V 13V ±20V
IRFR110TRLPBF
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2,275
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 25W (Tc) N-Channel 100V 4.3A (Tc) 540 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 8.3nC @ 10V 180pF @ 25V 10V ±20V
TSM900N06CP ROG
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2,758
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 25W (Tc) N-Channel 60V 11A (Tc) 90 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 9.3nC @ 10V 500pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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