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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
2SJ687-ZK-E1-AY
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RFQ
3,353
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Renesas Electronics America MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 (MP-3ZK) 1W (Ta), 36W (Tc) P-Channel - 20V 20A (Tc) 7 mOhm @ 10A, 4.5V - 57nC @ 4.5V 4400pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
DMN2027LK3-13
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944
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 2.14W (Ta) N-Channel - 20V 11.6A (Ta) 21 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 9.1nC @ 4.5V 857pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
IRFR3706TRPBF
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1,810
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 75A DPAK HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 20V 75A (Tc) 9 mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35nC @ 4.5V 2410pF @ 10V 2.8V, 10V ±12V
IRLR3802TRPBF
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3,857
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
AOD424
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3,100
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 20V 18A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.5W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 20V 18A (Ta), 45A (Tc) 4.4 mOhm @ 20A, 4.5V 1.6V @ 250µA 43nC @ 10V 4630pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
FDD3706
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RFQ
1,162
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252AA) 3.8W (Ta), 44W (Tc) N-Channel - 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 9 mOhm @ 16.2A, 10V 1.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V 1882pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
IRFR3708TRPBF
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RFQ
819
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 61A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 87W (Tc) N-Channel - 30V 61A (Tc) 12.5 mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 4.5V 2417pF @ 15V 2.8V, 10V ±12V
IRLR6225TRPBF
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RFQ
1,535
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 63W (Tc) N-Channel - 20V 100A (Tc) 4 mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72nC @ 4.5V 3770pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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