- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
738
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 10A (Tc) | 420 mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 250µA | 16.5nC @ 10V | 614pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
846
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 100V 10A | STripFET™ F6 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 40W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 10A (Tc) | 180 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 16.5nC @ 10V | 864pF @ 80V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,796
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK | MDmesh™ M2 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 8A (Tc) | 500 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 16.5nC @ 10V | 535pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,742
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 6A DPAK | SuperMESH5™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 6A (Tc) | 950 mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 16.5nC @ 10V | 450pF @ 100V | 10V | ±30V |