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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPD30P06P
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RFQ
1,659
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO-252 SIPMOS® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 125W (Tc) P-Channel 60V 30A (Tc) 75 mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 1.7mA 48nC @ 10V 1535pF @ 25V 10V ±20V
SPD15P10PGBTMA1
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RFQ
1,433
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 128W (Tc) P-Channel 100V 15A (Tc) 240 mOhm @ 10.6A, 10V 2.1V @ 1.54mA 48nC @ 10V 1280pF @ 25V 10V ±20V
IPD088N06N3GBTMA1
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RFQ
1,185
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 71W (Tc) N-Channel 60V 50A (Tc) 8.8 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 34µA 48nC @ 10V 3900pF @ 30V 10V ±20V
SPD30P06PGBTMA1
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RFQ
3,603
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 125W (Tc) P-Channel 60V 30A (Tc) 75 mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 1.7mA 48nC @ 10V 1535pF @ 25V 10V ±20V
BUK7226-75A,118
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RFQ
1,959
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 45A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 158W (Tc) N-Channel 75V 45A (Tc) 26 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 48nC @ 10V 2385pF @ 25V 10V ±20V
NTD24N06T4G
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RFQ
3,290
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 24A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) N-Channel 60V 24A (Ta) 42 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 48nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
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