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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDD05N50ZT4G
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RFQ
2,018
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 5A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 83W (Tc) N-Channel - 500V 4.7A (Tc) 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 18.5nC @ 10V 530pF @ 25V 10V ±30V
SPD07N20
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RFQ
1,020
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 40W (Tc) N-Channel - 200V 7A (Tc) 400 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 31.5nC @ 10V 530pF @ 25V 10V ±20V
RSD050N10TL
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RFQ
3,359
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 15W (Tc) N-Channel - 100V 5A (Ta) 190 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 10V 530pF @ 25V 4V, 10V ±20V
IPD30N03S2L20ATMA1
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RFQ
3,623
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 60W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Tc) 20 mOhm @ 18A, 10V 2V @ 23µA 19nC @ 10V 530pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
RD3P050SNTL1
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RFQ
2,304
有现货
Rohm Semiconductor NCH 100V 5A POWER MOSFET - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 15W (Tc) N-Channel - 100V 5A (Ta) 190 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 10V 530pF @ 25V 4V, 10V ±20V
SPD07N20GBTMA1
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RFQ
3,946
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO252 SIPMOS® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 40W (Tc) N-Channel - 200V 7A (Tc) 400 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 31.5nC @ 10V 530pF @ 25V 10V ±20V
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