- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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获得报价 |
3,926
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) | N-Channel | 100V | 6.5A (Tc) | 200 mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 4nC @ 5V | 240pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,862
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) | N-Channel | 100V | 6.5A (Tc) | 200 mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 4nC @ 5V | 240pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
913
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | CoolMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 25W (Tc) | N-Channel | 600V | 1.8A (Tc) | 3 Ohm @ 1.1A, 10V | 5.5V @ 80µA | 9.5nC @ 10V | 240pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
760
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 25W (Tc) | P-Channel | 50V | 5.3A (Tc) | 500 mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1nC @ 10V | 240pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1